资本E家 杭州谱析光晶半导体申请具有沟槽隔离和改进通道结构的垂直D-MOSFET及制备方法专利，降低栅极边缘电场集中

金融界2025年7月5日消息，国家知识产权局信息显示，杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请一项名为“一种具有沟槽隔离和改进通道结构的垂直D-MOSFET及制备方法”的专利资本E家，公开号CN120264819A，申请日期为2025年06月。

专利摘要显示，本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种具有沟槽隔离和改进通道结构的垂直D-MOSFET及制备方法，包括由若干个相互并列的MOS元胞构成，单个所述MOS元胞包括漏极、源极、栅极、栅氧化层以及半导体外延层，所述半导体外延层包括N衬底层、N扩散层、P+层、P阱层以及N阱层，所述栅极的截面轮廓呈三角形，所述栅极与栅氧化层的交接处沉积有多晶硅覆盖层；所述栅氧化层的截面轮廓呈半椭圆形状，所述多晶硅覆盖层的截面轮廓呈三角形。本发明通过将栅极的截面轮廓设计为三角形，并控制栅氧化层呈半椭圆形状，优化了电场分布和载流子迁移路径，三角形栅极可降低栅极边缘的电场集中，减少击穿风险。

天眼查资料显示，杭州谱析光晶半导体科技有限公司，成立于2020年资本E家，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本826.4856万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州谱析光晶半导体科技有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目16次，专利信息145条，此外企业还拥有行政许可2个。

本文源自：金融界

作者：情报员

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